Транзистор КТ818ГМ
Цоколевка транзистора КТ818ГМОбозначение транзистора КТ818ГМ на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ818ГМ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора КТ818ГМ- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 90 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 90 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(100) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
Аналоги транзистора КТ818ГМ
|