Транзистор КТ819БМ
Цоколевка транзистора КТ819БМОбозначение транзистора КТ819БМ на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ819БМ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ819БМ- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 50 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(100) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20-225
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
Аналоги транзистора КТ819БМ- BDW21A, BDх13C, BDх91, BDх93, 2N6253, 2N6371, 2N6470, BD142, BD181
|