Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ819Г

Цоколевка транзистора КТ819Г

Обозначение транзистора КТ819Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ819Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ819Г

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(60) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Аналоги транзистора КТ819Г

2N5496, BD953, BDT95, BDV95, BDх73, BDх77, TIP41C, 2N6001, 2N6131, 2N6292, 2N6293, BD203, BD537, BD709, BD711

Смотрите также:

	2Т819Б
	2Т819В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная