Транзистор КТ819В
Цоколевка транзистора КТ819ВОбозначение транзистора КТ819В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ819В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ819В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 70 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 70 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(60) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 15-225
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
Аналоги транзистора КТ819В- 2N5492, 2N5494, BD951, BDT93, BDV93, BDх71, TIP41B, 2N6099, 2N6130, 2N6290, 2N6291, BD201, BD295, BD535, BD707
|