Транзистор 2N6109GЦоколевка транзистора 2N6109GХарактеристики транзистора 2N6109G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N6109G является транзистор 2N6290G c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2N6109G можно заменить на 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE197
|