Транзистор 2N6316Цоколевка транзистора 2N6316Характеристики транзистора 2N6316- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N6316 является транзистор 2N6318 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2N6316 можно заменить на 2N5038, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5874, 2N5878, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48, BUX48A, BUY691, BUY69B, BUY69C, BUY701, BUY70B, BUY70C, MJ12005, MJ12021, MJ12022, MJ14002, MJ14002G, MJ15011, MJ15011G, MJ16006, MJ16008, MJ2841, MJ8504, MJ8505
|