Транзистор 2SA1006B-P

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -250 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SA1006B делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA1006B-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SA1006B-Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SA1006B-P - в диапазоне от 160 до 320.Обозначение на корпусе транзистора 2SA1006B-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "A1006B-P".Комплементарной парой для 2SA1006B-P является транзистор 2SC2336B-P c n-p-n структурой.Транзистор 2SA1006B-P можно заменить на MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G