Транзистор 2SB1019Цоколевка транзистора 2SB1019Характеристики транзистора 2SB1019- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1019 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1019-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB1019-Y - в диапазоне от 120 до 240. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1019 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1019". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1019 является транзистор 2SD1412 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1019 можно заменить на 2SA1290, 2SA1291, 2SA1329, 2SA1452A, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB553, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB993, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G
|