Транзистор 2SB1116A-LЦоколевка транзистора 2SB1116A-LХарактеристики транзистора 2SB1116A-L- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 270
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1116A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116AL имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116AK - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116A-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116A-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116A-U - в диапазоне от 300 до 600. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1116A-L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1116A-L". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1116A-L является транзистор 2SD1616A-L c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1116A-L можно заменить на 2SA1275, 2SB647, KSA1013, KSB1116A, KSB1116A-Y, KTA1275
|