Транзистор 2SB1116A-UЦоколевка транзистора 2SB1116A-UХарактеристики транзистора 2SB1116A-U- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1116A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116AL имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116AK - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116A-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116A-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116A-U - в диапазоне от 300 до 600. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1116A-U часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1116A-U". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1116A-U является транзистор 2SD1616A-U c n-p-n структурой.
|