Транзистор 2SB1135Цоколевка транзистора 2SB1135Характеристики транзистора 2SB1135- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1135 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1135-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB1135-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SB1135-S - в диапазоне от 140 до 280. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1135 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1135". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1135 является транзистор 2SD1668 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1135 можно заменить на 2SA1290, 2SA1291, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1136, 2SB825, 2SB826, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G
|