Транзистор 2SB1154-PЦоколевка транзистора 2SB1154-PХарактеристики транзистора 2SB1154-P- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 130 до 260
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1154 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1154-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1154-Q - в диапазоне от 90 до 180, 2SB1154-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1154-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1154-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1154-P является транзистор 2SD1705-P c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1154-P можно заменить на 2SB1155, 2SB1155-P, 2SB1156, 2SB1156-P
|