Транзистор 2SD1705-P

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 130 до 260
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3PF

Транзисторы серии 2SD1705 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1705-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, 2SD1705-P - в диапазоне от 130 до 260.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1705-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1705-P".Комплементарной парой для 2SD1705-P является транзистор 2SB1154-P c p-n-p структурой.Транзистор 2SD1705-P можно заменить на 2SD1706, 2SD1706-P, 2SD1707, 2SD1707-P