Транзистор 2SB1156-QЦоколевка транзистора 2SB1156-QХарактеристики транзистора 2SB1156-Q- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -20 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии SB1156 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1156 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 260, 2SB1156-Q - в диапазоне от 90 до 180, 2SB1156-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1156-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1156-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1156-Q является транзистор 2SD1707-Q c n-p-n структурой.
|