Транзистор 2SB1158-QЦоколевка транзистора 2SB1158-QХарактеристики транзистора 2SB1158-Q- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1158 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1158-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1158-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1158-P - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1158-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1158-Q". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1158-Q является транзистор 2SD1713-Q c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1158-Q можно заменить на 2SA1673, 2SA1860, 2SA1908, 2SA1909, 2SA1987, 2SB1159, 2SB1159-Q, 2SB1160, 2SB1160-Q, 2SB1161, 2SB1161-Q, FJAF4210
|