Транзистор 2SB1158-SЦоколевка транзистора 2SB1158-SХарактеристики транзистора 2SB1158-S- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1158 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1158-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1158-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1158-P - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1158-S часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1158-S". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1158-S является транзистор 2SD1713-S c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1158-S можно заменить на 2SA1673, 2SA1860, 2SA1908, 2SA1909, 2SA1987, 2SA1987-O, 2SB1159, 2SB1159-S, 2SB1160, 2SB1160-S, 2SB1161, 2SB1161-S, FJAF4210
|