Транзистор 2SD2389-PЦоколевка транзистора 2SD2389-PХарактеристики транзистора 2SD2389-P- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 6500 до 20000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD2389 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD2389-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SD2389-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SD2389-Y - в диапазоне от 15000 до 30000. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD2389-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D2389-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD2389-P является транзистор 2SB1559-P c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD2389-P можно заменить на 2SC2555, 2SC2579, 2SC2625, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1313, 2SD2390, 2SD2390-P, BDV67D, MJH16006, MJH16008
|