Транзистор 2SB507

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB507 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB507C имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB507D - в диапазоне от 60 до 120, 2SB507E - в диапазоне от 100 до 200, 2SB507F - в диапазоне от 160 до 320.Обозначение на корпусе транзистора 2SB507 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B507".Комплементарной парой для 2SB507 является транзистор 2SD313 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB507 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G