Транзистор 2SB552-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -220 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Транзисторы серии 2SB552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB552-BN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SB552-R - в диапазоне от 40 до 80.Обозначение на корпусе транзистора 2SB552-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B552-R".Комплементарной парой для 2SB552-R является транзистор 2SD552-R c n-p-n структурой.