Транзистор 2SD552-RЦоколевка транзистора 2SD552-RХарактеристики транзистора 2SD552-R- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 220 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD552-DN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SD552-R - в диапазоне от 40 до 80. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD552-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D552-R". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD552-R является транзистор 2SB552-R c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD552-R можно заменить на 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12022
|