Транзистор 2SB630-Q

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB630 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB630-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB630-R - в диапазоне от 60 до 120, 2SB630-Q - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB630-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B630-Q".Комплементарной парой для 2SB630-Q является транзистор 2SD610-Q c n-p-n структурой.Транзистор 2SB630-Q можно заменить на 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G