Транзистор 2SB631-DЦоколевка транзистора 2SB631-DХарактеристики транзистора 2SB631-D- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB631 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB631-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB631-E - в диапазоне от 100 до 200, 2SB631-F - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB631-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B631-D". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB631-D является транзистор 2SD600-D c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB631-D можно заменить на 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, BD792, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A, KSA1220A-R, MJE253, MJE253G, MJE254
|