Транзистор 2SB703A-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB703A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB703A-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB703A-R - в диапазоне от 60 до 120, 2SB703A-Q - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB703A-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B703A-R".Комплементарной парой для 2SB703A-R является транзистор 2SD743A-R c p-n-p структурой.Транзистор 2SB703A-R можно заменить на 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, 2SD743A, 2SD743A-R, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, FJP1943, FJPF1943, KSA1010, KSA1010O, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, NTE292