Транзистор 2SB762

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB762 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB762-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB762-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB762-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SB762 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B762".Комплементарной парой для 2SB762 является транзистор 2SD857 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB762 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G