Транзистор 2SB829-SЦоколевка транзистора 2SB829-SХарактеристики транзистора 2SB829-S- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 140 до 280
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB829 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB829-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB829-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SB829-S - в диапазоне от 140 до 280. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB829-S часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B829-S". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB829-S является транзистор 2SD1065-S c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB829-S можно заменить на 2SA1292, 2SA1292-S, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, TIP36CA
|