Транзистор 2SB829-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB829 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB829-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB829-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SB829-S - в диапазоне от 140 до 280.Обозначение на корпусе транзистора 2SB829-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B829-R".Комплементарной парой для 2SB829-R является транзистор 2SD1065-R c n-p-n структурой.Транзистор 2SB829-R можно заменить на 2SA1292, 2SA1292-R, 2SB1163, 2SB1163-P, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA