Транзистор 2SD1032

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SD1032 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1032-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SD1032-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SD1032-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1032 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1032".Комплементарной парой для 2SD1032 является транзистор 2SB812 c p-n-p структурой.Транзистор 2SD1032 можно заменить на 2SC2555, 2SC2625, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3783, 2SC3796, 2SC3796A, 2SC3797, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1032A, 2SD1313, 2SD1399, 2SD1402, 2SD1403, 2SD858, BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BDV91, BDV93, BDV95, MJH16002, MJH16004, MJH16006, MJH16008, TIP35CA