Транзистор 2SD1691-MЦоколевка транзистора 2SD1691-MХарактеристики транзистора 2SD1691-M- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1691 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1691-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD1691-L - в диапазоне от 160 до 320, 2SD1691-K - в диапазоне от 200 до 400. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1691-M часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1691-M". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1691-M является транзистор 2SB1151-M c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1691-M можно заменить на KSD1691, KSD1691-O
|