Транзистор KSD1691-OЦоколевка транзистора KSD1691-OХарактеристики транзистора KSD1691-O- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии KSD1691 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1691-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, KSD1691-Y - в диапазоне от 160 до 320, KSD1691-G - в диапазоне от 200 до 400. Комплементарная параКомплементарной парой для KSD1691-O является транзистор KSB1151-O c p-n-p структурой. АналогиТранзистор KSD1691-O можно заменить на 2SD1691, 2SD1691-M
|