Транзистор 2SD1707-PЦоколевка транзистора 2SD1707-PХарактеристики транзистора 2SD1707-P- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 130 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 20 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 130 до 260
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1707 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1707-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, 2SD1707-P - в диапазоне от 130 до 260. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1707-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1707-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1707-P является транзистор 2SB1156-P c p-n-p структурой.
|