Транзистор 2SD1718-PЦоколевка транзистора 2SD1718-PХарактеристики транзистора 2SD1718-P- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1718 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1718-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1718-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1718-P - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1718-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1718-P". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1718-P является транзистор 2SB1163-P c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1718-P можно заменить на 2SC3320, 2SD1313, MJL4281A, MJL4281AG
|