Транзистор 2SD552-DNЦоколевка транзистора 2SD552-DNХарактеристики транзистора 2SD552-DN- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 220 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD552-DN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SD552-R - в диапазоне от 40 до 80. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD552-DN часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D552-DN". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD552-DN является транзистор 2SB552-BN c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD552-DN можно заменить на 2N6546, 2N6547, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, MJ12022, MJ15022, MJ15022G, MJ15024, MJ15024G, MJ21194, MJ21194G, MJ21196, MJ21196G
|