Транзистор 2SD667BЦоколевка транзистора 2SD667BХарактеристики транзистора 2SD667B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD667 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD667B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD667C - в диапазоне от 100 до 200, 2SD667D - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD667B часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D667B". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD667B является транзистор 2SB647B c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD667B можно заменить на 2SC2383, 2SC2383R, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SD667A, 2SD667AB, KSC2383, KSC2383R, KTC3228, KTC3228R
|