Транзистор 2SD667CЦоколевка транзистора 2SD667CХарактеристики транзистора 2SD667C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD667 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD667B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD667C - в диапазоне от 100 до 200, 2SD667D - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD667C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D667C". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD667C является транзистор 2SB647C c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD667C можно заменить на 2SC2383, 2SC2383O, 2SC3228, 2SC3228-O, 2SD667A, 2SD667AC, KSC2383, KSC2383O, KTC3228, KTC3228O
|