Транзистор 2SD789-CЦоколевка транзистора 2SD789-CХарактеристики транзистора 2SD789-C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD789 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD789-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD789-C - в диапазоне от 160 до 320, 2SD789-D - в диапазоне от 250 до 500, 2SD789-E - в диапазоне от 400 до 800. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD789-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D789-C". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD789-C является транзистор 2SB740-C c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD789-C можно заменить на 2SC2383, 2SC2383-Y, 2SC3228, 2SC3228-Y, 2SD1616A, 2SD667, 2SD667D, KSC2383, KSC2383Y, KSD1616A, KTC3228, KTC3228Y, NTE382
|