Транзистор 2SD789

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 800
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Транзисторы серии 2SD789 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD789-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD789-C - в диапазоне от 160 до 320, 2SD789-D - в диапазоне от 250 до 500, 2SD789-E - в диапазоне от 400 до 800.Обозначение на корпусе транзистора 2SD789 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D789".Комплементарной парой для 2SD789 является транзистор 2SB740 c p-n-p структурой.