Транзистор 2SD858-P

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 120 до 250
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SD858 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD858-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SD858-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SD858-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SD858-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D858-P".Комплементарной парой для 2SD858-P является транзистор 2SB763-P c p-n-p структурой.Транзистор 2SD858-P можно заменить на 2SC2555, 2SC2577, 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2625, 2SC3256, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3783, 2SC3796, 2SC3796A, 2SC3797, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1288, 2SD1289, 2SD1313, 2SD1399, 2SD1402, 2SD1403, BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BDV91, BDV93, BDV95, MJH16002, MJH16004, MJH16006, MJH16008, MJL4281A, MJL4281AG, TIP35CA