Транзистор BD175

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии BD175 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD175-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 60, BD175-10 - в диапазоне от 63 до 160, BD175-16 - в диапазоне от 100 до 250.Комплементарной парой для BD175 является транзистор BD176 c p-n-p структурой.Транзистор BD175 можно заменить на BD131, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244