Транзистор BD825-6

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-202

Транзисторы серии BD825 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD825-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 100, BD825-10 - в диапазоне от 63 до 160, BD825-16 - в диапазоне от 100 до 250.Комплементарной парой для BD825-6 является транзистор BD826-6 c p-n-p структурой.Транзистор BD825-6 можно заменить на BD827, BD827-6, BD829, BD829-6