Транзистор BD827-10Цоколевка транзистора BD827-10Характеристики транзистора BD827-10- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 63 до 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
- Корпус: TO-202
Классификация по hFEТранзисторы серии BD827 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD827-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 100, BD827-10 - в диапазоне от 63 до 160. Комплементарная параКомплементарной парой для BD827-10 является транзистор BD828-10 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BD827-10 можно заменить на BD829, BD829-10
|