Транзистор BD876

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 2000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD876 является транзистор BD875 c n-p-n структурой.Транзистор BD876 можно заменить на 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, 2SB794, 2SB794-K, 2SB794-L, 2SB794-M, 2SB795, 2SB795-K, 2SB795-L, 2SB795-M, BD878, BD880, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y, KSB794, KSB794-O, KSB794-R, KSB794-Y, KSB795, KSB795-O, KSB795-R, KSB795-Y