Транзистор BD875

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 2000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD875 является транзистор BD876 c p-n-p структурой.Транзистор BD875 можно заменить на 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-K, 2SD985-L, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, BD877, BD879, KSB985, KSB985-O, KSB985-R, KSB985-Y, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O, KSD1692-Y