Транзистор KSB795-OЦоколевка транзистора KSB795-OХарактеристики транзистора KSB795-O- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 4000 до 10000
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии KSB795 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB795-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, KSB795-O - в диапазоне от 4000 до 10000, KSB795-Y - в диапазоне от 8000 до 30000. Комплементарная параКомплементарной парой для KSB795-O является транзистор KSB986-O c n-p-n структурой. АналогиТранзистор KSB795-O можно заменить на 2N6036, 2N6036G, 2SB1149, 2SB795, 2SB795-L, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-Y, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G, MJE712
|