Транзистор BDT30BFЦоколевка транзистора BDT30BFХарактеристики транзистора BDT30BF- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 19 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220F
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT30BF является транзистор BDT29BF c n-p-n структурой. АналогиТранзистор BDT30BF можно заменить на 2N6476, BDT30CF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292
|