Транзистор BDX65CЦоколевка транзистора BDX65CХарактеристики транзистора BDX65C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 117 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для BDX65C является транзистор BDX64C c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDX65C можно заменить на BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G
|