Транзистор BDX69BЦоколевка транзистора BDX69BХарактеристики транзистора BDX69B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 25 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для BDX69B является транзистор BDX68B c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDX69B можно заменить на BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G
|