Транзистор HSB1109S

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии HSB1109S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109S-C - в диапазоне от 100 до 200, HSB1109S-D - в диапазоне от 160 до 320.Комплементарной парой для HSB1109S является транзистор HSD1609S c n-p-n структурой.Транзистор HSB1109S можно заменить на 2SA1275, 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624, KSA1013, KTA1275, KTA1279