Транзистор HSD1609S

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии HSD1609S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSD1609S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSD1609S-C - в диапазоне от 100 до 200, HSD1609S-D - в диапазоне от 160 до 320.Комплементарной парой для HSD1609S является транзистор HSB1109S c p-n-p структурой.Транзистор HSD1609S можно заменить на 2SC2383, 2SC3228, 2SC3467, 2SC3468, KSC2383, KTC3228