Транзистор KSD1616A-G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии KSD1616A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1616A-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSD1616A-G - в диапазоне от 200 до 400.Комплементарной парой для KSD1616A-G является транзистор KSB1116A-G c p-n-p структурой.Транзистор KSD1616A-G можно заменить на 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1616AK