Транзистор KSD261CЦоколевка транзистора KSD261CХарактеристики транзистора KSD261C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 400
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии KSD261C делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD261CY имеет коэффициент усиления в диапазоне от 120 до 240, KSD261CG - в диапазоне от 200 до 400. Комплементарная параКомплементарной парой для KSD261C является транзистор KSA643C c p-n-p структурой. АналогиТранзистор KSD261C можно заменить на 2N3706, 2SC3332, 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD438, 2SD789, KSC1008C, KSC1009C, KSD471AC, KTC1006, KTD1146
|